时间：2025/5/8 0:16:03
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2N7002DW是一款采用SOT-363封装的N沟道增强型MOSFET。它是一种小型化的表面贴装器件，广泛应用于需要低电压驱动和高开关速度的应用场景中。该器件具有较低的导通电阻以及较高的电流处理能力，在消费类电子、电源管理电路以及信号切换领域非常常见。
由于其紧凑的尺寸和出色的电气性能，2N7002DW在许多便携式设备和空间受限的设计中成为理想选择。
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：115mA
脉冲漏极电流Ipd：340mA
导通电阻Rds(on)：2.9Ω（典型值，当Vgs=10V时）
总功耗Ptot：275mW
工作温度范围TJ：-55℃至+150℃
1. 小型化封装（SOT-363），适合表面贴装技术（SMT）。
2. 具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗。
3. 支持宽范围的工作温度，适用于各种环境条件。
4. 高速开关性能，适合高频应用。
5. 可靠性高，符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 内部静电保护结构增强了器件的鲁棒性。
1. 开关电源中的次级侧同步整流。
2. 消费类电子产品中的负载开关。
3. 手机及便携式设备中的电池保护电路。
4. 信号电平转换与逻辑缓冲。
5. 低功率电机驱动控制。
6. 各种类型的电源管理模块。
2N7002, BSS138, FDN306P, AO3400
